Emitterschaltung ist eine der wichtigsten Bipolartransistor-Konfigurationen. Meistens wird sie zur Spannungsverstärkung verwendet.
Funktionsprinzip
Das Funktionsprinzip mit einem NPN-Transistor ist wie folgt:
Der Name Common-emitter, engl. gemeinsamer Emitter leitet sich von der Tatsache ab, dass sich sowohl das Eingangs- als auch das Ausgangssignal auf das Spannungsniveau vom Emitter beziehen.
Der Verstärkungsfaktor der Spannung beträgt
,
wobei in dem Fall quasi der innere Emitterwiderstand ist, der von der Transkonduktanz und dadurch von der Temperatur abhängt. Bei der Raumtemperatur kann man von ausgehen. Mit der Annahme, beträgt die Verstärkung
Emitterdegeneration
Die Hauptcharakteristik dieser Schaltung ist, dass sie im Kleinsignalbereich verzerrungsarm funktioniert. Wird der Kleinsignalbereich überschritten, entstehen hohe Verzerrungen und man kann die Schaltung nicht mehr mit dem Kleinsignalmodell beschreiben. Bei großen Schwingungen kann der Kollektorstrom nicht mehr konstant angenommen werden, da er stark mit der Emitterspannung schwankt. Dadurch entsteht ein exponentielles Verhalten zwischen der Eingangsspannung und dem Kollektorstrom (und dadurch der Ausgangsspannung). Um die Verzerrungen, die dadurch entstehen, zu reduzieren, wird ein zusätzlicher Degenerationswiderstand zwischen dem Emitter und der Referenzspannung hinzugefügt.
Dadurch kann der Verstärkungsfaktor annäherungsweise mit
berechnet werden. Beispiel: Um die Degeneration auf ungefähr ein Zehntel zu reduzieren, wird ein Degenerationswiderstand wird einen effektiven Emitterwiderstand von gebraucht. Mit dem Widerstand wird es näherungsweise erzielt. Dadurch reduziert sich der Verstärkungsfaktor ebenso auf ein Zehntel:
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